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二三极管  >  功率管   >  NTD6415ANLT4G  

NTD6415ANLT4G
商品类别:
功率管
封装/规格:
TO-252
产品价格:
¥3.60 元
品牌产地:
ON
数据手册:
暂无手册资料
 
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产品概览

制造商零件编号
NTD6415ANLT4G
现有数量
9000
可立即发货
制造商
ON
描述
进口原装现货!

RohsLead free / RoHS non-compliant
标准包装2,500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C23A
Rds(最大)@ ID,VGS52 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS35nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1024pF @ 25V
功率 - 最大83W
安装类型Surface Mount
包/盒TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装D-Pak
包装材料Tape & Reel (TR)
包装3DPAK
通道模式Enhancement
最大漏源电压100 V
最大连续漏极电流23 A
RDS -于52@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间11 ns
典型上升时间91 ns
典型关闭延迟时间40 ns
典型下降时间71 ns
工作温度-55 to 175 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
最大门源电压±20
欧盟RoHS指令Compliant
最高工作温度175
标准包装名称DPAK
最低工作温度-55
渠道类型N
封装Tape and Reel
最大漏源电阻52@10V
最大漏源电压100
每个芯片的元件数1
供应商封装形式DPAK
最大功率耗散83000
最大连续漏极电流23
引脚数3
铅形状Gull-wing
FET特点Logic Level Gate
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C23A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id2V @ 250µA
封装/外壳TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS52 mOhm @ 10A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大83W
漏极至源极电压(Vdss)100V
输入电容(Ciss ) @ VDS1024pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS35nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS non-compliant
安装风格SMD/SMT
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流23 A
正向跨导 - 闵24 S
功率耗散83 W
最高工作温度+ 175 C
漏源击穿电压92 V to 100 V
RoHSRoHS Compliant
高度2.38mm
晶体管材料Si
类别功率 MOSFET
长度6.73mm
典型输入电容值@Vds1024 pF @ 25 V
通道模式增强
安装类型表面贴装
每片芯片元件数目1
最大漏源电阻值56 mΩ
通道类型N
Board Level ComponentsY
最高工作温度+175 °C
最大栅阈值电压2V
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散83 W
最大栅源电压±20 V
宽度6.22mm
尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm
最大漏源电压100 V
典型接通延迟时间11 ns
典型关断延迟时间40 ns
封装类型DPAK
最大连续漏极电流23 A
引脚数目3
晶体管配置
典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 4.5 V
工厂包装数量2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2 V
Qg - Gate Charge35 nC
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
下降时间71 ns
品牌ON Semiconductor
通道数1 Channel
配置Single
晶体管类型1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current23 A
Rds On - Drain-Source Resistance44 mOhms
最低工作温度- 55 C
Pd - Power Dissipation83 W
上升时间91 ns
技术Si



电子元器件专业配套 配套范围内:

集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 
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