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二三极管  >  稳压二极管   >  NDT3055L  

NDT3055L
商品类别:
稳压二极管
封装/规格:
SOT223
产品价格:
¥2.50 元
品牌产地:
ON
数据手册:
暂无手册资料
 
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产品概览

制造商零件编号
NDT3055L
现有数量
10000
可立即发货
制造商
ON
描述
进口原装现货!

RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装2,500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C4A
Rds(最大)@ ID,VGS100 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS20nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的345pF @ 25V
功率 - 最大1.1W
安装类型Surface Mount
包/盒TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-3
包装材料Tape & Reel (TR)
包装4SOT-223
通道模式Enhancement
最大漏源电压60 V
最大连续漏极电流4 A
RDS -于100@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间5 ns
典型上升时间7.5 ns
典型关闭延迟时间20 ns
典型下降时间7 ns
工作温度-65 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
最大门源电压±20
包装宽度3.7(Max)
PCB3
最大功率耗散3000
最大漏源电压60
欧盟RoHS指令Compliant
最大漏源电阻100@10V
每个芯片的元件数1
最低工作温度-65
供应商封装形式SOT-223
标准包装名称SOT-223
最高工作温度150
渠道类型N
包装长度6.7(Max)
引脚数4
包装高度1.7(Max)
最大连续漏极电流4
封装Tape and Reel
标签Tab
铅形状Gull-wing
FET特点Logic Level Gate
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C4A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id2V @ 250µA
供应商设备封装SOT-223-3
其他名称NDT3055LTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS100 mOhm @ 4A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大1.1W
漏极至源极电压(Vdss)60V
输入电容(Ciss ) @ VDS345pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS20nC @ 10V
封装/外壳TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量4000
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流4 A
封装/外壳SOT-223
零件号别名NDT3055L_NL
下降时间7 ns
产品种类MOSFET
单位重量0.006632 oz
配置Single
最高工作温度+ 150 C
正向跨导 - 闵7 S
RoHSRoHS Compliant By Exemption
源极击穿电压+/- 20 V
系列NDT3055L
RDS(ON)70 mOhms
安装风格SMD/SMT
功率耗散3 W
最低工作温度- 65 C
上升时间7.5 ns
漏源击穿电压60 V
Continuous Drain Current Id:4A
Drain Source Voltage Vds:60V
On Resistance Rds(on):100mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:1.6V
功耗:3W
Operating Temperature Min:-65°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:SOT-223
No. of Pins:4
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max:4A
Current Temperature:25°C
外部深度:7.3mm
External Length / Height:1.7mm
外宽:6.7mm
Full Power Rating Temperature:25°C
No. of Transistors:1
工作温度范围:-65°C to +150°C
Pulse Current Idm:25A
SMD Marking:3055L
胶带宽度:12mm
Voltage Vds Typ:60V
Voltage Vgs Max:1.6V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Voltage Vgs th Max:2V


电子元器件专业配套 配套范围内:

集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 
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